型号:SI5902BDC-T1-GE3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:8-SMD,扁平引线 | 描述:MOSFET N-CH 30V 1206-8 |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 30V 1206-8 |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 4A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 65 毫欧 @ 3.1A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 7nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 220pF @ 15V |
功率_最大 | 3.12W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
供应商设备封装 | 1206-8 ChipFET? |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生86-0755-82561519 |
深圳市春东电子有限公司 | 朱先生/王小姐0755-82563615/82563213 |
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